[发明专利]半导体层序列、光电子半导体芯片和用于制造半导体层序列的方法

摘要

在至少一个实施形式中提出用于光电子半导体芯片（10）的半导体层序列（1）。半导体层序列（1）包含至少三个量子阱（2），所述量子阱设计成用于产生电磁辐射。此外，半导体层序列（1）包括多个势垒层（3），所述势垒层中的至少一个分别设置在两个相邻的量子阱（2）之间。量子阱（2）具有第一平均铟含量并且势垒层（3）具有较小的第二平均铟含量。势垒层（3）的第二平均晶格常数在此小于量子阱（2）的第一平均晶格常数。

主权项

一种用于光电子半导体芯片（10）的半导体层序列（1），其具有：‑至少三个量子阱（2），所述量子阱设计成用于产生电磁辐射并且所述量子阱沿着所述半导体层序列（1）的生长方向（G）相叠设置；‑多个势垒层（3），所述势垒层中的至少一个分别设置在两个相邻的量子阱（2）之间，其中‑所述量子阱（2）具有第一平均铟含量并且所述势垒层具有较小的第二平均铟含量，并且‑所述势垒层（3）的第二平均晶格常数小于所述量子阱（2）的第一平均晶格常数。