[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片有效
| 申请号： | 201280048248.4 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103843161B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 约阿希姆·赫特功;卡尔·恩格尔;贝特霍尔德·哈恩;安德烈亚斯·魏玛 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 丁永凡,张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在方法的至少一个实施形式中，所述方法设立为用于制造光电子半导体芯片（10）、尤其是发光二极管。所述方法包括下述步骤提供生长衬底（1）；借助于溅镀在生长衬底（1）上生成III族氮化物成核层（3）；以及在成核层（3）上或在成核层（3）上方生长具有有源层（2a）的III族氮化物半导体层序列（2），其中生长衬底（1）的材料与成核层（3）的和/或半导体层序列（2）的材料不同。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 半导体 芯片 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造光电子半导体芯片(10)的方法，具有下述步骤：‑提供生长衬底(1)；‑借助于溅镀在所述生长衬底(1)上生成III族氮化物成核层(3)，其中所述生长衬底(1)的材料不同于所述成核层(3)的材料；以及‑使具有有源层(2a)的III族氮化物半导体层序列(2)生长到所述成核层(3)上，其中对所述成核层(3)添加氧并且所述成核层(3)中的氧份额沿远离所述生长衬底(1)的方向单调地减少。
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