[发明专利]用于高密度NEMS/CMOS单片集成的NEMS释放蚀刻的横向蚀刻停止在审
| 申请号： | 201280048518.1 | 申请日： | 2012-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN103858237A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | J·B·张;L·张;S·U·恩格尔曼;M·A·古罗恩 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于制造将衬底上的机电器件和CMOS器件分隔开的阻挡层的结构和方法。示例性结构包括密封机电器件的保护层，其中所述阻挡层可以耐受能够去除所述保护层但不能去除所述阻挡层的蚀刻工艺。所述衬底可以是绝缘体上硅或者多层晶片衬底。所述机电器件可以是微机电系统（MEMS）或者纳机电系统（NEMS）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高密度 nems cmos 单片 集成 释放 蚀刻 横向 停止 | ||
【主权项】：
一种集成半导体器件结构，包括：衬底；机电器件；互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，其紧邻所述机电器件并且被安置在所述衬底上；保护层，其密封所述机电器件；以及阻挡层，其将所述机电器件与所述CMOS器件分隔开，其中所述阻挡层具有比所述保护层高的蚀刻等级。
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