[发明专利]固态成像器件和成像装置有效

专利信息
申请号: 201280048615.0 申请日: 2012-09-28
公开(公告)号: CN103843139B 公开(公告)日: 2018-07-17
发明(设计)人: 山口哲司 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/374
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 曹正建;陈桂香
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及具有优良的色彩分离和高灵敏度的固态成像器件和设置有该固态成像器件的成像装置。所述固态成像器件包括:半导体层11,其表面侧成为电路形成面;两层以上的光电转换单元PD1和PD2,它们堆叠并形成在所述半导体层11中;和纵向晶体管Tr1,其中,栅极电极21形成为从所述半导体层11的表面15被嵌入到所述半导体层11内。所述两层上的光电转换单元中的一层光电转换单元PD1形成为跨越所述纵向晶体管Tr1的栅极电极21的被嵌入到所述半导体层内的部分21A,并且连接到由所述纵向晶体管Tr1形成的沟道。
搜索关键词: 半导体层 固态成像器件 光电转换单元 纵向晶体管 成像装置 栅极电极 两层 嵌入 电路形成面 高灵敏度 色彩分离 堆叠 沟道
【主权项】:
1.一种固态成像器件,其包括:半导体层,其表面侧成为电路形成面;两层光电转换单元,它们堆叠并形成在所述半导体层中;传输栅极,其设置在所述半导体层的所述表面侧,用于传输所述两层光电转换单元中的一层光电转换单元中生成的信号电荷;纵向晶体管,其栅极电极形成为从所述半导体层的所述表面侧被嵌入到所述半导体层内;和有机光电转换单元,其布置在所述半导体层的光入射面侧,且由有机光电转换层构成,其中,所述两层光电转换单元中的另一层光电转换单元形成为跨越所述纵向晶体管的栅极电极的被嵌入到所述半导体层内的部分,并连接到由所述纵向晶体管形成的沟道,其中,所述半导体层具有与所述表面侧相对的背面侧,并且所述背面侧成为光入射面,并且其中,在所述有机光电转换层中产生的电荷累积在所述半导体层中的电荷累积区中。
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