[发明专利]半导体发光器件的表面处理有效
| 申请号： | 201280049448.1 | 申请日： | 2012-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN104040735B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 戎亦文;J.G.内夫;T.S.唐 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 陈俊,汪扬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的实施例的方法包括粗糙化（图6）半导体结构（46‑48，图5）的表面（58）。所述半导体结构包括发光层（47）。所述表面（58）是通过其从所述半导体结构提取光的表面。在粗糙化之后，处理（图7）经粗糙化的表面以增加所述表面处的全内反射或吸收，或者减少通过所述表面（58）从所述半导体结构提取的光的量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 表面 处理 | ||
【主权项】：
一种用于半导体结构的表面处理的方法，包括：粗糙化半导体结构的表面，所述半导体结构包括发光层，并且所述表面包括通过其从所述半导体结构提取光的表面；以及在粗糙化之后，处理所述表面以增加所述半导体结构内的全内反射或所述表面处的吸收，其中：粗糙化表面包括形成具有多个峰的表面；并且处理所述表面包括使所述多个峰的顶部平坦化。
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