[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 201280049775.7 | 申请日： | 2012-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103890951A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 增田健良;和田圭司;日吉透 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 用于制造半导体器件的方法包括：制备由碳化硅制成的衬底（30）的步骤；在该衬底（30）中，形成在衬底（30）的一个主表面（30A）侧上开口的沟槽（15）的步骤；以及在包括沟槽（15）的表面的区域中形成氧化物膜（40）的步骤。在形成氧化物膜（40）的步骤中，在包含氧的气氛中，在1250℃或更高的温度下加热衬底（30）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：制备由碳化硅制成的衬底（30）；在所述衬底（30）中，形成沟槽（15），所述沟槽（15）在所述衬底（30）的一个主表面（30A）侧上开口；以及在包括所述沟槽（15）的表面的区域中形成氧化物膜（40），其中，在形成所述氧化物膜（40）的步骤中，在包含氧的气氛中，在不小于1250℃的温度下加热所述衬底（30）。
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