[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201280050068.X | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103890953B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 内田正雄;堀川信之;田中康太郎;清泽努 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体元件(100)中，第2导电型的体区域(103)包括与第1碳化硅半导体层(102)的表面相连的第1体区域(103a)、和与第2导电型的体区域(103)的底面相连的第2体区域(103b)。第1体区域的杂质浓度是第2体区域的杂质浓度的2倍以上。作为沟道层的第1导电型的第2碳化硅半导体层(106)在与半导体基板(101)垂直的方向上具有杂质浓度的分布，与栅极绝缘膜(107)相连的一侧的杂质浓度小于与第1体区域(103a)相连的一侧的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，具备：第1导电型的半导体基板；第1导电型的第1碳化硅半导体层，位于上述半导体基板的主面上；第2导电型的体区域，位于上述第1碳化硅半导体层内；第1导电型的杂质区域，位于上述体区域内；第1导电型的第2碳化硅半导体层，位于上述第1碳化硅半导体层上，且被配置成分别与上述体区域以及上述杂质区域的至少一部分相连；上述第2碳化硅半导体层上的栅极绝缘膜；上述栅极绝缘膜上的栅电极；第1欧姆电极，与上述杂质区域电连接；和第2欧姆电极，被设置于上述半导体基板的背面，上述第2导电型的体区域在上述体区域中的位于上述栅电极下方的部分包括与上述第1碳化硅半导体层的表面相连的第1体区域、和与上述第2导电型的体区域的底面相连且位于上述第1体区域下方的第2体区域，上述第1体区域的杂质浓度是上述第2体区域的杂质浓度的2倍以上，上述第1导电型的第2碳化硅半导体层在与上述半导体基板垂直的方向上具有杂质浓度的分布，与上述栅极绝缘膜相连的一侧的杂质浓度小于与上述第1体区域相连的一侧的杂质浓度。
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