[发明专利]光电子器件和发光材料有效
| 申请号： | 201280050433.7 | 申请日： | 2012-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103857767B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·鲍姆加特纳;弗兰克·耶尔曼;斯特凡·朗格;蒂姆·菲德勒 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/77 | 分类号： | C09K11/77;H05B33/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 丁永凡,张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光电子器件，包括具有有源区的层序列（1），所述有源区发射初级电磁辐射；和转换材料，所述转换材料设置在所述初级电磁辐射的光路中并且至少部分地将所述初级电磁辐射转换为次级电磁辐射。所述转换材料包括第一发光材料（6‑1），所述第一发光材料具有通常的组成成分A3B5O12，其中A从如下组中选择，所述组包括Y、Lu、Gd和Ce以及它们的组合，并且其中B包括由Al和Ga构成的组合；并且包括第二发光材料（6‑2），所述第二发光材料（6‑2）从如下组中选择，所述组包括M1AlSiN3·Si2N2O、M3AlSiN3、M4‑Al‑Si‑N系统，M5‑Al‑Si‑N系统和M2Si5N8，其中M是由Ca、Sr、Ba和Eu构成的组合，M1从如下组中选择，所述组包括Sr、Ca、Mg、Li,Eu和它们的组合，M3从如下组中选择，所述组包括Sr、Ca、Mg、Li、Eu和它们的组合，M4至少包括Ca并且M5至少包括Ca或者Ba或者Sr。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 器件 发光 材料 | ||
【主权项】：
一种光电子器件，包括：‑具有有源区的层序列(1)，所述有源区发射初级电磁辐射；‑其中所述初级电磁辐射具有选自430nm至470nm的范围中的波长，‑转换材料，所述转换材料设置在所述初级电磁辐射的光路中并且至少部分地将所述初级电磁辐射转换为次级电磁辐射；‑其中所述转换材料包括第一发光材料(6‑1)，所述第一发光材料具有通常的组成成分A3B5O12，其中A由Lu和Ce构成的组合，其中Lu以选自大于或等于90摩尔％的范围中的份额存在于所述第一发光材料中，并且其中B是由Al和Ga构成的组合；其中Ga的份额选自10摩尔％至40摩尔％的范围中，并且所述转换材料包括第二发光材料(6‑2)，其中所述第二发光材料(6‑2)是M2Si5N8，其中M是由Ca、Sr、Ba和Eu构成的组合，其中Ba以大于或者等于50摩尔％的份额存在于所述第二发光材料M2Si5N8(6‑2)中，其中Ca以选自2.5摩尔％至25摩尔％的范围中的份额存在于所述第二发光材料M2Si5N8(6‑2)中，其中Eu以选自0.5摩尔％至10摩尔％的范围中的份额存在于所述第二发光材料M2Si5N8(6‑2)中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司，未经欧司朗光电半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280050433.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
