[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201280050475.0 | 申请日： | 2012-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN104025301A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 本田达也;津吹将志;野中裕介;岛津贵志;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/477;H01L21/8242;H01L21/8244;H01L27/108;H01L27/11;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;汤春龙 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 降低包含在栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜中的杂质元素的浓度。另外，提高栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜的结晶性。一种半导体装置包括：在基底绝缘膜上的氧化物半导体膜；在氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在氧化物半导体膜上的包含硅氧化物的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。氧化物半导体膜包括硅浓度为1.0at.％以下的区域，并且，至少在区域内包括结晶部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底上的氧化物半导体膜；所述氧化物半导体膜上的源电极和漏电极；所述氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜，其中所述栅极绝缘膜包含含有硅的氧化物；以及所述栅极绝缘膜上的栅电极，其中，所述氧化物半导体膜包括硅浓度为1.0at.％以下的区域，所述区域位于所述氧化物半导体膜与所述栅极绝缘膜之间的界面且接触于所述栅极绝缘膜，并且，所述区域包括结晶部。
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