[发明专利]位于衬底上的平坦化半导体颗粒有效
| 申请号： | 201280050565.X | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103858221B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 道格拉斯·R·迪卡尔 | 申请（专利权）人： | 迪夫泰克激光公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 宋颖娉,宋志强 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种以平坦化的单晶硅或多晶硅颗粒阵列形式存在的器件及其制备方法，其中颗粒的平坦表面被用于制备电子器件阵列。这在制造需要单晶高速器件的大显示器时尤其有用。当在平坦的衬底上制备阵列时，器件阵列的平坦表面是共面的。 | ||
| 搜索关键词： | 位于 衬底 平坦 半导体 颗粒 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底(10)；与所述衬底分立地形成然后在所述衬底上的预定位置处固定于所述衬底(10)上的一半导体颗粒(16)；覆盖所述衬底以及所述半导体颗粒的至少一部分的保形涂层；所述半导体颗粒被平坦化，以去除所述保形涂层的一部分和所述半导体颗粒的一部分，并在所述半导体颗粒的截面处暴露一平坦表面，横跨所述平坦表面的最长尺寸小于15mm，其中所述半导体颗粒的直接位于所述平坦表面之下或者位于所述平坦表面处的至少一部分被掺杂第一类型的第一掺杂剂，并且其中所述半导体颗粒的直接位于所述平坦表面之下或者位于所述平坦表面处的另一部分被掺杂第二类型的第二掺杂剂；位于所述平坦表面(56)处或者上的第一接触，与所述第一掺杂剂接触；以及位于所述平坦表面(56)处或者上的第二接触，与所述第二掺杂剂接触；其中所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的一个是n型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
