[发明专利]半导体晶片中掺杂变化的光致发光成像在审
| 申请号： | 201280050566.4 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103874918A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 约尔根·韦伯 | 申请（专利权）人： | BT成像股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;张英 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 基于光致发光的方法被提出用于促进具有选择性发射极结构的光伏电池的制造中金属化期间的晶片对准，且特别是用于在金属化之前使选择性发射极结构可视化。在优选的形式中，该方法是在线进行的，其中选择性发射极结构形成后检查每个晶片以识别其位置或取向。所获得的信息也可被用于从流程线放弃有缺陷的晶片或识别系统故障或形成图案化发射极结构的处理的不准确。另外，每个晶片可通过金属化之后的光致发光成像进行检查，以确定金属接触是否已被正确地定位在该选择性发射极结构上。金属化后所获得的信息也可被用于提供反馈到上游的处理步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 掺杂 变化 光致发光 成像 | ||
【主权项】：
一种用于识别半导体材料中掺杂变化的方法，所述方法包括以下步骤：（a）用适于从所述材料产生光致发光的激发光照射所述材料；（b）获取从所述材料发出的所述光致发光的图像；以及（c）基于所述图像中的差别识别所述掺杂变化。
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