[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的半导体装置具备施主层(3)，施主层(3)通过对利用质子照射形成的结晶缺陷进行热处理而形成在n^-型半导体基板(1)的n型漂移层(2)。施主层(3)具有由杂质浓度为极大的部位、以及从该杂质浓度为所述极大的部位朝向n型漂移层(2)的两主面侧下降到与n型漂移层(2)相同的杂质浓度为止的浓度梯度部位构成的杂质浓度分布。n型漂移层(2)内形成的结晶缺陷主要是由空孔、氧以及氢引起的复合结晶缺陷。通过将上述施主层(3)设置在n型漂移层(2)，从而即使在为了提高施主层(3)的杂质浓度而提高利用质子照射形成的结晶缺陷密度的情况下，扔能抑制导通电压的上升以及漏电流的增加。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括施主层，该施主层将通过质子照射形成在第1导电型漂移层内部的结晶缺陷施主化而成，所述施主层具有由第1部位及第2部位构成的杂质浓度分布，该第1部位的杂质浓度极大，该第2部位具有以规定的比例从所述第1部位朝向所述第1导电型漂移层的两主面侧下降到与所述第1导电型漂移层相同的杂质浓度为止的浓度梯度，所述结晶缺陷主要是因空孔、氧原子以及氢原子引起的复合结晶缺陷。