[发明专利]具有低热阻的引线框架上凸块半导体封装体有效
| 申请号： | 201280050858.8 | 申请日： | 2012-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN103918057A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | K.H.林;R.K.威廉斯 | 申请（专利权）人： | 先进模拟科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在引线框架上凸块半导体封装体中，集成电路芯片上形成的金属凸块用于利于半导体衬底中产生的热传递到金属散热块，并且然后传递到外部安装表面。包括热过孔阵列的结构可用于从半导体衬底传递热量到金属凸块。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 低热 引线 框架 上凸块 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体封装体，包括：集成电路芯片，具有主表面，所述主表面包括周边区域和中心区域，接触垫设置在所述主表面的所述周边区域中，所述芯片以所述主表面面向下定向；电引线，第一金属凸块连接所述第一接触垫和所述电引线，以及散热块，第二金属凸块连接所述散热块和所示主表面的所述中心区域；所述芯片被包封在模塑料中，所述模塑料包封所述引线的至少一部分和所述散热块的至少一部分，所述引线的安装表面与所述散热块的暴露的底表面共面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
