[发明专利]用于成像系统的无源检测器在审
申请号: | 201280051175.4 | 申请日: | 2012-08-17 |
公开(公告)号: | CN104040725A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 霍华德·E·卡彭特;彼得·N·考夫曼 | 申请(专利权)人: | 公共服务解决方案公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 金鹏;陈昌柏 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供用于成像系统的无源检测器结构,实现了带有直接数字测量数据输出的无动力的无源前端检测器结构,用于检测电磁频谱中的各部分(例如,热(IR)、近IR、UV和可见光)中的入射光子辐射。 | ||
搜索关键词: | 用于 成像 系统 无源 检测器 | ||
【主权项】:
一种光子检测器设备,包括:基底;具有一频率且配置在所述基底上的谐振器构件;无源检测器结构,配置在所述基底上并与所述谐振器构件机械地耦接,其中所述无源检测器结构包括检测器构件,所述检测器构件响应于光子曝射而机械变形以将机械力施加到所述谐振器构件,并响应于所述机械力改变所述谐振器构件的频率;以及数字电路,耦接到所述谐振器构件,用于确定所述谐振器构件的频率,并基于所确定的频率来确定由所述检测器构件吸收的入射光子能量的数量,其中所述谐振器构件的频率由于由所述无源检测器结构施加到所述谐振器构件上的机械力而改变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的