[发明专利]通过层流进行的维持多能性的单个分散细胞的培养法在审
| 申请号： | 201280051375.X | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103917641A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 小寺秀俊;巽和也;横川隆司;多田高;长田翔伍;兴津辉;小此木孝仁;野田雄一郎;中西直之;松村拓;大隅孝志 | 申请（专利权）人： | 爱科来株式会社 |
| 主分类号： | C12N5/10 | 分类号： | C12N5/10;C12N5/00;C12N5/071;C12N5/0735 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种不依赖于凋亡剂的添加而进行的、基于人胚胎干细胞(hESCs)和人类人工多能干细胞(hiPSCs)的单个分散培养的新型克隆化方法。更具体地说，本发明的课题为提供一种基于利用剪切应力的hESCs和hiPSCs的单个分散培养而进行的克隆化方法。通过提供下述方法来解决上述课题，其是使多能性细胞单个分散来进行培养的方法，其中，将单个分散的细胞在层流条件下进行培养。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 层流 进行 维持 多能 单个 分散 细胞 培养 | ||
【主权项】：
一种使多能性细胞单个分散来进行培养的方法，在该方法中，将单个分散的细胞在层流条件下进行培养。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱科来株式会社，未经爱科来株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280051375.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于场发射器件的二硫化钼薄膜的制备方法
- 下一篇：磁控溅射设备
