[发明专利]用于在半导体基底中形成掺杂区域的掺杂剂油墨组合物，以及用于制造掺杂剂油墨组合物的方法无效
| 申请号： | 201280051982.6 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103890107A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 周理古;R.A.斯皮尔;R.Y-K.梁;樊文亚;H.X.徐;L.M.梅廷;A.S.布哈纳普 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | C09D11/03 | 分类号： | C09D11/03;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 赵苏林;杨思捷 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供用于在半导体基底中形成掺杂区域的掺杂剂油墨组合物，以及用于制造掺杂剂油墨组合物的方法。在示例性实施方案中，掺杂剂油墨组合物包含掺杂剂化合物，该掺杂剂化合物包括至少一个连接至13族或15族元素的烷基。此外，该掺杂剂油墨组合物包括含硅化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 基底 形成 掺杂 区域 油墨 组合 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
掺杂剂油墨组合物，包含：由掺杂剂化合物和含硅化合物形成的掺杂剂‑硅酸盐载体，其中所述掺杂剂化合物包含至少一个连接至13族元素或15族元素的烷基，和其中所述掺杂剂化合物和所述含硅化合物通过硅‑氧‑掺杂剂离子键连接在一起；和至少一种溶剂。
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