[发明专利]基板处理装置及方法有效
| 申请号： | 201280053239.4 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103918070B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 朴周焕;柳东浩;赵炳哲 | 申请（专利权）人： | 圆益IPS股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国京畿道平*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及沉积相变存储器(PRAM)的相变层的基板处理装置及其处理方法，是制造沉积特性优秀的相变层的基板处理装置及基板处理方法。本发明的实施形态为，根据制造相变存储器的基板处理方法，包括在形成图案的基板形成下部电极的过程；通过所述形成下部电极的过程，清除在基板表面生成或残留的杂质的表面处理过程；与对所述清除杂质的基板表面执行氮化处理的过程；在所述下部电极上按顺序沉积相变层及上部电极的过程。另外，本发明的实施形态的基板处理装置，包括装载锁定腔室，装载及卸载多个基板，在大气状态与真空状态之间变换；真空移送腔室，内部维持真空状态由多角面形态构成，在多个面中的一面结合所述装载锁定腔室，具有为了移送基板的基板移送机器人；氮化处理腔室，结合于所述真空移送腔室的多个面中的一面，将形成下部电极的基板表面进行氮化处理；处理腔室，结合于所述真空移送腔室的多个面中的一面，通过所述氮化处理腔室在氮化处理的基板面沉积相变层。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
基板处理方法，用于制造相变存储器，其特征在于，包括：在形成图案的基板形成下部电极的过程；在所述形成下部电极后，清除在基板表面生成或残留的杂质的表面处理过程；对所述清除杂质的基板表面执行氮化处理的过程；在所述下部电极上按顺序沉积相变层及上部电极的过程；所述表面处理，利用含有H2的气体进行等离子处理。
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