[发明专利]溅射靶材及其制造方法有效
申请号: | 201280054142.5 | 申请日: | 2012-10-25 |
公开(公告)号: | CN103917687A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 冈本研;荒堀忠久;佐藤彰繁;宮下幸夫;草野英二;坂本宗明 | 申请(专利权)人: | 飞罗得陶瓷股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C04B35/053 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种溅射靶材,其使用了以质量%计纯度为99.99%以上或进一步纯度为99.995%以上、相对密度98%以上且平均晶粒直径为8μm以下的氧化镁烧结体。该溅射靶材的平均晶粒直径为5μm以下、进一步平均晶粒直径为2μm以下是优选的。若使用该溅射靶材,则能够得到具有优异的耐绝缘性和均质性的溅射膜。 | ||
搜索关键词: | 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种溅射靶材,其特征在于,使用了以质量%计纯度为99.99%以上、相对密度超过98%、且平均晶粒直径为8μm以下的氧化镁烧结体。
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