[发明专利]制膜用材料、IV族金属氧化物膜和亚乙烯基二酰胺络合物

摘要

本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用使具有特定结构的亚乙烯基二酰胺络合物与氧气、空气、臭氧、水、过氧化氢等氧化剂进行反应而得到的制膜用材料。

主权项

一种制膜用材料，其特征在于，通过使通式(1)所示的亚乙烯基二酰胺络合物与选自由氧气、空气、臭氧、水和过氧化氢组成的组中的一种以上的氧化剂进行反应而得到，式(1)中，M¹表示钛原子、硅原子、锆原子或铪原子，R¹和R⁴各自独立地表示碳数3～12的烷基，R²和R³各自独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基，R⁵表示可以被氟原子取代的碳数1～12的烷基。