[发明专利]用于半导体晶体材料形成的系统

摘要

一种用于半导体晶体材料形成的系统，包括被配置为包含液体金属的第一室以及与第一室流体通联的第二室，第二室具有大于第一储液器室容量的容量。本系统还包括连接至第一室的蒸汽输送导管，此蒸汽输送导管被配置为将气相反应材料输送至第一室以与液体金属反应并形成金属卤化物气相产物。

主权项

一种用于半导体晶体材料形成的系统，其包括：被配置为包含液体金属的第一室；经由储液器导管与所述第一室流体通联的第二室，所述第二室具有大于第一室表面积的表面积；以及蒸汽输送导管，其包括至少被部分包含于所述第一室内并且浸入所述液体金属的起泡器，所述起泡器被配置为将气相反应材料输送至所述液体金属内并形成金属卤化物气相产物；并且其中，所述第一室和第二室通过所述储液器导管相连，所述储液器导管在相对于所述第一室的高度的下半部连接至所述第一室并且在相对于所述第二室的高度的下半部连接至所述第二室；并且其中，起泡器的浸入部分包括多个沿着浸入部分的长度延伸的开口，所述浸入部分具有从第一室的第一壁向外延伸、进入第一室的容量并且指向与第一壁相对的第一室的第二壁的长度。