[发明专利]溅射靶及其制造方法无效
| 申请号： | 201280054849.6 | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103917689A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 张守斌;小路雅弘 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/14;H01L31/0445 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够通过溅射法形成良好地添加有Na的由Cu-In-Ga-Se构成的膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有如下的成分组成：含有Cu、In、Ga及Se，另外，以NaF化合物、Na2S化合物或Na2Se化合物中的至少一种状态并以Na/(Cu+In+Ga+Se+Na)×100：0.05～5原子％的比例来含有Na，氧浓度为200～2000重量ppm，剩余部分由不可避免的杂质构成。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其特征在于，所述溅射靶具有如下的成分组成：含有Cu、In、Ga及Se，另外，以NaF化合物、Na2S化合物或Na2Se化合物中的至少一种状态并以Na/(Cu+In+Ga+Se+Na)×100：0.05～5原子％的比例来含有Na，氧浓度为200～2000重量ppm，剩余部分由不可避免的杂质构成。
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