[发明专利]具有特殊的表面处理和良好颗粒性能的硅溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201280054872.5 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103917685B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | Y.元;E.Y.伊瓦诺夫;Y.刘;P.弗劳斯托;W.苗 | 申请（专利权）人： | 东曹SMD有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/00 | 分类号： | C23C14/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种包括Si靶和背衬板的溅射靶组件，其中所述背衬板结合到所述靶上。Si靶包括平滑的、镜面状的表面，并具有小于约15.0埃的表面粗糙度。提供用于制造硅靶/背衬板组件的方法，其中，加工硅坯件以从坯件表面去除划痕，产生靶上的镜面状的表面、以及15.0埃或更小的表面粗糙度。该方法包括第一和第二清洁步骤，第一步骤在划痕去除步骤之前进行，且第二步骤在划痕去除之后进行。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 特殊 表面 处理 良好 颗粒 性能 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
Si溅射靶，所述Si溅射靶包括溅射表面，在溅射期间由所述溅射表面除去原子或分子以在基板上沉积膜，所述溅射表面具有拥有小于15.0埃的表面粗糙度的光滑的镜面光洁度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东曹SMD有限公司，未经东曹SMD有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280054872.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
