[发明专利]带涂层坩埚和制造带涂层坩埚的方法无效
| 申请号： | 201280055194.4 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104066873A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | R.B.布拉姆霍尔;D.富克斯;W.范登赫克 | 申请（专利权）人： | 英诺文特科技公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 成城;傅永霄 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于在坩埚的内部容积的一部分内形成晶锭的坩埚。坩埚具有形成内部容积的坩埚基材。坩埚基材通过设置于晶锭和坩埚基材之间的屏障涂层与晶锭分隔开。屏障涂层具有与所述坩埚基材的表面相一致而与所述表面上的表面特征的形状无关的无针孔的适形的厚度，所述屏障涂层具有比所述晶锭的熔点更高的熔点。 | ||
| 搜索关键词： | 涂层 坩埚 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种可重复使用的坩埚，所述坩埚用于在所述坩埚的内部容积的一部分内形成晶锭，所述坩埚包括：形成所述内部容积的坩埚基材；屏障涂层，所述屏障涂层设置于所述基材上，以使得所述坩埚基材通过设置于所述晶锭和所述坩埚基材之间的所述屏障涂层而与所述晶锭分隔开；以及，所述屏障涂层具有与所述坩埚基材的表面相一致而与所述表面上的表面特征的形状无关的无针孔的适形且均匀的厚度，所述屏障涂层具有比所述晶锭的熔点更高的熔点。
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