[发明专利]蚀刻方法

摘要

本发明提供一种可提高被加工材料和抗蚀剂的蚀刻的选择比的蚀刻方法、通过该蚀刻方法加工的蓝宝石基板、及具备该蓝宝石基板的发光元件。使用等离子蚀刻装置的蚀刻方法包括：在被加工材料上形成抗蚀膜的抗蚀膜形成工序；在所述抗蚀膜上形成规定的图案的图案形成工序；将形成有所述图案的所述抗蚀膜在规定的改质用条件下暴露于等离子体，使所述抗蚀膜改质而提高蚀刻选择比的抗蚀剂改质工序；将被加工材料在与改质用条件不同的蚀刻用条件下暴露于等离子体，以提高了蚀刻选择比的所述抗蚀膜为掩模，进行被加工材料的蚀刻的被加工材料的蚀刻工序。

主权项

一种蚀刻方法，包括：在被加工材料上形成抗蚀膜的抗蚀膜形成工序；在所述抗蚀膜上形成规定的图案的图案形成工序；将形成有所述图案的所述抗蚀膜在规定的改质用条件下暴露于等离子体，使所述抗蚀膜改质而提高蚀刻选择比的抗蚀剂改质工序；将所述被加工材料在与所述改质用条件不同的蚀刻用条件下暴露于等离子体，以提高了蚀刻选择比的所述抗蚀膜为掩模，进行所述被加工材料的蚀刻的被加工材料的蚀刻工序；所述被加工材料为形成于规定的被加工基板上的基板用掩模层，并且所述被加工基板为蓝宝石基板，以蚀刻的基板用掩模层为掩模，进行所述蓝宝石基板的蚀刻，在所述蓝宝石基板上形成1μｍ以下的周期的凹凸形状的基板的蚀刻工序，在所述抗蚀剂改质工序中，使用Ar气体的等离子体作为等离子体，施加规定的偏压输出，将Ar气体的等离子体向所述基板用掩模层引导，在所述蚀刻工序中，使用Ar气体的等离子体作为等离子体，施加比所述改质用条件高的偏压输出，将Ar气体的等离子体向所述基板用掩模层引导。