[发明专利]研磨垫及其制造方法有效
申请号: | 201280055965.X | 申请日: | 2012-10-12 |
公开(公告)号: | CN103930975A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 糸山光纪;宫泽文雄 | 申请(专利权)人: | 富士纺控股株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/20;B24B37/24;C08G18/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 日本东京中央区日*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种研磨垫及其制造方法,研磨垫可改善使用之前的硬质(干式)研磨垫时产生的刮痕的问题,且研磨速率或研磨均匀性优异,不仅可满足一次研磨而且亦可满足精加工研磨。本发明是一种半导体装置研磨用的研磨垫,研磨垫具备研磨层,研磨层具有包含大致球状气泡的聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体,研磨垫的特征在于:聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的独泡率为60%~98%,聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的损失弹性模数E″相对于储存弹性模数E′的比例(损失弹性模数/储存弹性模数)tanδ为0.15~0.30,储存弹性模数E′为1MPa~100MPa,且聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的密度D为0.4g/cm3~0.8g/cm3。 | ||
搜索关键词: | 研磨 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种研磨垫,其用于研磨半导体装置,所述研磨垫具备研磨层,所述研磨层具有包含大致球状的气泡的聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体,所述研磨垫的特征在于:所述聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的独泡率为60%~98%;所述聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体在40℃、初始负荷10g、应变范围0.01%~4%、测定频率0.2Hz、拉伸模式时的损失弹性模数E″相对于储存弹性模数E′的比例(损失弹性模数/储存弹性模数)tanδ为0.15~0.30;所述储存弹性模数E′为1MPa~100MPa;以及所述聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的密度D为0.4g/cm3~0.8g/cm3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造