[发明专利]温度控制系统、半导体制造装置及温度控制方法有效
| 申请号： | 201280056275.6 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103930843A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 小林敦;田渊敦彦;若井秀树;伊藤一寿;广濑泰久;西川桂一;南谷隆弘 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;CKD株式会社 |
| 主分类号： | G05D23/19 | 分类号： | G05D23/19;G05D23/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种温度控制系统(1)，其中，该温度控制系统(1)包括：第1调温单元，其用于贮藏第1温度的液体；第2调温单元，其用于贮藏比第1温度高的第2温度的液体；低温流路(76)，其供来自第1调温单元的流体流动；高温流路(77)，其供来自第2调温单元的流体流动；旁路流路(73)，其用于使流体循环；结合流路(71)，其供在合流部(PA)处使来自低温流路、高温流路以及旁路流路这三个流路的流体合流后的流体流动；调温部(70)，其供来自结合流路的流体流动，对在半导体制造装置(100)中使用的构件进行冷却或加热；以及控制装置(90)，其用于控制在合流部的上游侧安装于上述三个流路的可变阀门(79)的阀开度，而调整上述三个流路的流量分配比例。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 控制系统 半导体 制造 装置 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种温度控制系统，其用于控制在半导体制造装置中使用的构件的温度，其特征在于，该温度控制系统包括：第1调温单元，其用于贮藏被调节为第1温度的液体；第2调温单元，其用于贮藏被调节为比上述第1温度高的第2温度的液体；低温流路，其供从上述第1调温单元供给过来的流体流动；高温流路，其供从上述第2调温单元供给过来的流体流动；旁路流路，其用于使流体循环；结合流路，其在合流部处与上述低温流路、上述高温流路以及上述旁路流路合流，并供来自上述低温流路、上述高温流路以及上述旁路流路的流体合流后的流体流动；调温部，其设置于上述构件或上述构件的附近，并供来自上述结合流路的流体流动，而对上述构件进行冷却或加热；可变阀门，其安装于上述低温流路的靠上述合流部的上游侧的位置、上述高温流路的靠上述合流部的上游侧的位置以及上述旁路流路的靠上述合流部的上游侧的位置；以及控制装置，其用于控制上述可变阀门的阀开度，而调整上述低温流路、上述高温流路以及上述旁路流路的流量分配比例。
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