[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201280056282.6 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103946983A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 泷下博;吉村尚;宫崎正行;林秀直 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/265;H01L21/329;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;李柱天 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 从作为n-漂移层的n型半导体基板的背面重复进行多次质子照射，在n-漂移层的基板背面侧的内部，形成电阻比n型半导体基板低的n型FS层。进行用于形成该n型FS层的多次质子照射时，为了补偿前次的质子照射中残留的无序(7)所导致的迁移率降低，进行下次的质子照射。此时，对于第二次之后的质子照射，以利用其前一次的质子照射形成的无序(7)的位置为目标进行质子照射。由此，即使在质子照射和热处理后，也能够形成无序(7)也少、能够抑制漏电流的增加等的特性不良的产生、并且具有高浓度的氢相关施主层的n型FS层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，是具备耐压保持用pn结和n型电场终止层的半导体装置的制造方法，所述耐压保持用pn结设置于n型半导体基板的一个主面侧，所述n型电场终止层设置于所述n型半导体基板的另一个主面侧的内部，且电阻比所述n型半导体基板低，用于抑制耗尽层从所述耐压保持用pn结扩展，其特征在于，包含质子照射工序，从所述n型半导体基板的另一个主面重复进行多次质子照射，在所述n型半导体基板的另一个主面侧的内部形成所述n型电场终止层，在所述质子照射工序中，以每重复进行一次所述质子照射对前一次的所述质子照射中残留的无序所导致的迁移率降低进行补偿的方式进行下一次的所述质子照射。
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