[发明专利]半导体存储装置及其驱动方法有效
申请号: | 201280056384.8 | 申请日: | 2012-08-09 |
公开(公告)号: | CN103946817A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 片山明;穗谷克彦;龙圭一;高木康晴 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G06F12/00 | 分类号: | G06F12/00;G11C11/15 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 贺月娇;杨晓光 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种存储器包括基元阵列,所述基元阵列包括非易失性存储器基元。功率发生器产生用于驱动所述基元阵列的电源电压。接收器接收命令和地址。控制器控制所述基元阵列、所述功率发生器和所述接收器的激活状态。在激活模式下,所述基元阵列、所述功率发生器和所述接收器被转变成激活状态。在第一省电模式下,所述基元阵列、所述功率发生器和所述接收器被转变成休止状态。在第二省电模式下,所述基元阵列和所述功率发生器被转变成激活状态,并且所述接收器被转变成休止状态。在第三省电模式下,所述功率发生器的至少一部分被转变成激活状态,并且所述基元阵列和所述接收器被转变成休止状态。 | ||
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【主权项】:
一种半导体存储装置,包括:存储器基元阵列,其包括多个非易失性存储器基元;功率发生器,其被配置为产生用于驱动所述存储器基元阵列的电源电压;第一接收器,其被配置为接收用于控制所述存储器基元阵列的命令和地址;以及控制器,其被配置为根据所述命令和所述地址而控制所述存储器基元阵列、所述功率发生器和所述第一接收器中的每一者,其中所述装置具有:将所述存储器基元阵列、所述功率发生器和所述第一接收器转变成激活状态的激活模式;将所述存储器基元阵列、所述功率发生器和所述第一接收器转变成休止状态的第一省电模式;将所述存储器基元阵列和所述功率发生器转变成激活状态并且将所述第一接收器转变成休止状态的第二省电模式;以及将所述功率发生器的至少一部分转变成激活状态并且将所述存储器基元阵列和所述第一接收器转变成休止状态的第三省电模式。
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