[发明专利]无定形导电性氧化物膜的形成方法有效

专利信息
申请号: 201280056688.4 申请日: 2012-11-15
公开(公告)号: CN103946930B 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 下田达也;李金望 申请(专利权)人: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;C01G55/00;H01B1/08;H01B1/20;H01B5/02;H01L29/786
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 孔青;李炳爱
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供无定形导电性氧化物膜的形成方法,其特征在于,进行以下工序:在基板上涂布含有a×y摩尔份的(A1)、a×(1‑y)摩尔份的(A2)、1摩尔份的(B)和(C)的组合物,形成涂膜,在氧化性气氛下加热该涂膜,其中,(A1)选自由除铈以外的镧系元素中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物,(A2)选自由铅、铋、镍、钯、铜和银中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物;(B)选自由钌、铱、铑和钴中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐、卤化物、亚硝酰基羧酸盐、亚硝酰基硝酸盐、亚硝酰基硫酸盐和亚硝酰基卤化物的1种以上金属化合物;以及(C)含有选自羧酸、醇、酮、二醇和二醇醚的1种以上的溶剂。
搜索关键词: 无定形 导电性 氧化物 形成 方法
【主权项】:
无定形导电性氧化物膜的形成方法,其特征在于,进行以下工序:在基板上涂布含有a×y摩尔份的A1、a×(1‑y)摩尔份的A2、1摩尔份的B和C的组合物,形成涂膜,在氧化性气氛下加热此涂膜,其中,A1 选自由除铈以外的镧系元素中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物,A2 选自由铅、铋、镍、钯、铜和银中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物;B 选自由钌、铱、铑和钴中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐、卤化物、亚硝酰基羧酸盐、亚硝酰基硝酸盐、亚硝酰基硫酸盐和亚硝酰基卤化物的1种以上金属化合物,其中,上述金属化合物中的至少1种由金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐和亚硝酰基羧酸盐中选择,a为0.3~6.0的数,y为0以上且不足1的数;以及C 含有选自羧酸、醇、酮、二醇和二醇醚的1种以上的溶剂。
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