[发明专利]有机EL元件有效
申请号: | 201280056815.0 | 申请日: | 2012-11-07 |
公开(公告)号: | CN103947000A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 佐藤祐辅;西村凉;郑旬纹 | 申请(专利权)人: | 吉坤日矿日石能源株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种有机EL元件,具备:透明支撑基板;配置于前述透明支撑基板上,且由在表面形成有第一凹凸的凹凸层所构成的衍射光栅;以及以形成于前述衍射光栅的表面的第一凹凸的形状得以维持的方式,依次层叠于前述衍射光栅上的透明电极、至少具备发光层的有机层、以及金属电极,其满足下述条件(A)~(C):[条件(A)]在对利用原子力显微镜来分析前述第一凹凸的形状而得到的凹凸解析图像实施二维快速傅利叶变换处理而得到傅利叶变换图像的情况下,前述傅利叶变换图像显示以波数的绝对值为0μm-1的原点作为大致中心的圆状或圆环状的模样,且前述圆状或圆环状的模样存在于波数的绝对值为10μm-1以下的范围内的区域内,[条件(B)]前述第一凹凸以及在前述金属电极的与有机层相对的面的表面所形成的第二凹凸均是根据利用原子力显微镜来分析凹凸的形状而得到的凹凸解析图像所求得的凹凸的深度分布的标准偏差为15~100nm,[条件(C)]前述第二凹凸的深度分布的标准偏差相对于前述第一凹凸的深度分布的标准偏差的变化率为+15%~-15%。 | ||
搜索关键词: | 有机 el 元件 | ||
【主权项】:
一种有机EL元件,其特征在于,具备:透明支撑基板;配置于所述透明支撑基板上,且由在表面形成有第一凹凸的凹凸层所构成的衍射光栅;以及以形成于所述衍射光栅的表面的第一凹凸的形状得以维持的方式,依次层叠于所述衍射光栅上的透明电极、至少具备发光层的有机层、以及金属电极,满足下述条件(A)~(C):[条件(A)]在对使用原子力显微镜来分析所述第一凹凸的形状而得到的凹凸解析图像实施二维快速傅利叶变换处理而得到傅利叶变换图像的情况下,所述傅利叶变换图像显示以波数的绝对值为0μm‑1的原点作为大致中心的圆状或圆环状的模样,且所述圆状或圆环状的模样存在于波数的绝对值为10μm‑1以下的范围内的区域内,[条件(B)]所述第一凹凸以及在所述金属电极的与有机层相对的面的表面所形成的第二凹凸均是基于使用原子力显微镜来分析凹凸的形状而得到的凹凸解析图像所求得的凹凸的深度分布的标准偏差为15~100nm的凹凸,[条件(C)]所述第二凹凸的深度分布的标准偏差相对于所述第一凹凸的深度分布的标准偏差的变化率为+15%~‑15%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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