[发明专利]薄膜晶体管阵列装置以及使用它的EL显示装置有效
| 申请号： | 201280056953.9 | 申请日： | 2012-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103959470A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 篠川泰治;伊藤研 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;G09F9/30;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 薛凯 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | EL显示装置具有：在一对电极之间配置有发光层的发光部、和控制所述发光部的发光的薄膜晶体管阵列装置。在发光部与薄膜晶体管阵列装置之间配置层间绝缘膜，并且发光部的一方的阳极(2)介由层间绝缘膜(34)的接触孔(35)与薄膜晶体管阵列装置电连接。进一步地，薄膜晶体管阵列装置具有介由层间绝缘膜(34)的接触孔(35)与发光部的阳极(2)电连接的电流供给用的中继电极(31)，并且在发光部的一方的阳极(2)与薄膜晶体管阵列装置的电流供给用的中继电极(31)的界面形成有扩散防止膜(36)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 装置 以及 使用 el 显示装置 | ||
【主权项】：
一种EL显示装置，具有：在一对电极之间配置有发光层的发光部；和控制所述发光部的发光的薄膜晶体管阵列装置，在所述发光部与所述薄膜晶体管阵列装置之间配置层间绝缘膜，并且所述发光部的一方的电极介由所述层间绝缘膜的接触孔与所述薄膜晶体管阵列装置电连接，所述薄膜晶体管阵列装置具有介由所述层间绝缘膜的接触孔与所述发光部的电极电连接的电流供给用的电极，并且在所述发光部的一方的电极与所述薄膜晶体管阵列装置的电流供给用的电极的界面形成有扩散防止膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
