[发明专利]用于热电应用的纳米颗粒压实体材料无效
| 申请号： | 201280057083.7 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104335327A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | R·文卡塔苏伯拉玛尼安;J·斯图尔特;R·维塔拉;P·汤姆斯;C·C·科克;T·E·千 | 申请（专利权）人： | 研究三角协会;北卡罗来纳州立大学 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了热电复合物和热电装置及用于制成该热电复合物的方法。该热电复合物是半导体材料,该半导体材料由用来产生半导体材料的纳米颗粒的半导体材料的单质成分的机械合金化的粉末形成，且将其压实为具有至少一种分歧的晶粒组织。该分歧的晶粒组织具有至少两种不同的晶粒尺寸，包括2～200nm的小尺寸晶粒和0.5～5微米的大尺寸晶粒。该半导体材料具有品质因数ZT，其定义为塞贝克系数的平方S2和电导率σ的乘积除以热导率k的比，其为在300K下大于1至300～500K的温度下的2.5。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 热电 应用 纳米 颗粒 实体 材料 | ||
【主权项】：
热电复合物，包含：半导体材料，其由用来产生半导体材料的纳米颗粒的半导体材料的单质成分的机械合金化粉末形成，且将其压实以具有至少一种分歧的晶粒组织；且所述分歧的晶粒组织具有至少两种不同的晶粒尺寸，包括2～200nm的小尺寸晶粒和0.5～5微米的大尺寸晶粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于研究三角协会;北卡罗来纳州立大学，未经研究三角协会;北卡罗来纳州立大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280057083.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：反向微电子封装上的微电子器件附着
- 下一篇：开闭器单元或开关设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
