[发明专利]气体阻隔膜及电子设备有效
| 申请号： | 201280057161.3 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103958182A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 森孝博 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种气体阻隔膜(10)，其在基体材料(11)上具备对含有聚硅氮烷的层实施真空紫外线照射而成的气体阻隔层(14)，其中，所述气体阻隔层(14)相对于该气体阻隔层整体在1质量％以上且40质量％以下的范围含有满足下述(a)、(b)、(c)全部的化合物A。(a)具有Si-O键，且具有与Si直接键合的有机基团。(b)具有Si-H基或Si-OH基。(c)分子量为90以上且1200以下。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 阻隔 电子设备 | ||
【主权项】：
一种气体阻隔膜，其在基体材料上具有对含有聚硅氮烷的层实施了真空紫外线照射而得到的气体阻隔层，其中，所述气体阻隔层在相对于该气体阻隔层整体为1质量％以上且40质量％以下的范围含有满足全部下述(a)、(b)、(c)的化合物A，(a)具有Si‑O键，且具有与Si直接键合的有机基团，(b)具有Si‑H基或Si‑OH基，(c)分子量为90以上且1200以下。
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