[发明专利]用于空穴注入和传输层的经改善的掺杂方法有效
| 申请号： | 201280057616.1 | 申请日： | 2012-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN103959392A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 文卡塔拉曼南·塞沙德里;尼特·乔普拉 | 申请（专利权）人： | 普莱克斯托尼克斯公司 |
| 主分类号： | H01B1/12 | 分类号： | H01B1/12;H05B33/10;H05B33/18;H01L51/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;吴小瑛 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种方法，包括在第一溶剂体系中将中性形式的至少一种第一化合物与至少一种离子掺杂剂反应，以提供第一掺杂反应产物；分离固体形式的第一掺杂反应产物；以及在第二溶剂体系中将分离的第一掺杂反应产物与中性形式的至少一种共轭聚合物结合，以形成包含共轭聚合物的氧化形式和第一化合物的中性形式的第二掺杂反应产物。优点包括更好的稳定性、便于使用、更低的金属含量。应用包括有机电子器件，包括OLED。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 空穴 注入 传输 改善 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供具有中性形式和氧化形式的至少一种第一化合物，其中所述第一化合物的分子量小于1,000g/摩尔；提供包含阳离子和阴离子的至少一种离子掺杂剂，在第一溶剂体系中将中性形式的所述至少一种第一化合物与包含至少一种阳离子和至少一种阴离子的至少一种离子掺杂剂组合，以提供第一掺杂反应产物，其中所述组合产生所述阳离子的中性形式，且其中所述第一掺杂反应产物包含所述第一化合物的氧化形式和所述阴离子；分离固体形式的所述第一掺杂反应产物，其包括从所述第一掺杂反应产物中除去所述阳离子的所述中性形式；提供至少一种具有中性形式和氧化形式的共轭聚合物；在第二溶剂体系中将分离的第一掺杂反应产物与所述至少一种共轭聚合物的中性形式组合，以形成包含所述共轭聚合物的氧化形式和所述阴离子的第二掺杂反应产物；其中掺杂产生所述第一化合物的中性形式。
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