[发明专利]用于表面等离子体共振分析的微结构化芯片，包含所述微结构化芯片的分析装置和所述装置的使用

摘要

本发明涉及用于表面等离子体共振(SPR)分析的一种微结构化芯片，该微结构化芯片采用由以下部分形成的实心体的形式一个基底；一个上表面，该上表面的至少部分被覆盖着一个金属层；以及至少一个侧表面。该芯片的特征在于前述上表面(4；44)具备来自至少一个空腔和/或至少一个突起之中的意在接收有待分析的物质的至少两个微测区(1；11；41；51；61)，所述区通过一些平面表面彼此分隔；并且所述区中的至少一个不同于其他区。

主权项

一种用于表面等离子体共振(SPR)分析的微结构化芯片(3；33；43；53；63)，其特征在于，所述微结构化芯片包括：由一个基底(5；77)、一个上部面(4；44)和至少一个侧面(55；66)组成的一个实心体；一个金属层(2；22；42；52；62)，其覆盖该上部面的至少一个部分；以及设置在所述上部面(4；44)中的至少第一区和第二区，所述第一区和所述第二区中的每个具备意在接收有待分析的物质的具有微测尺寸的弯曲表面，所述第一区和所述第二区具备以下项中的至少两个：范围从1μm到1000μm的i)长度尺寸、ii)宽度尺寸和iii)高度尺寸，所述至少第一区和第二区具有由空腔和突起(1；11；41；51；61)组成的组中的至少一个的形式，所述第一区和第二区彼此邻近并且通过邻近平面表面彼此分隔，以及所述第一区基于由下述项组成的组中的至少一个而不同于所述第二区：i)所述第一区具有所述空腔的形式，且所述第二区具有所述突起的形式，ii)所述第一区具有与所述第二区的对应的曲率半径(“R”)不同的曲率半径(“R”)，iii)所述第一区具有与所述第二区的对应的定向不同的定向，使得所述第一区相对于所述邻近平面表面的倾斜角(β1’)不同于所述第二区相对于所述邻近平面表面的倾斜角(β2’)，以及iv)所述第一区具有在所述芯片的区间表面与所述基底之间的距离，该距离不同于所述第二区的在所述芯片的所述区间表面与所述基底之间的对应的距离，其中，所述至少第一区和第二区(1；11；41；51；61)中的每个是所述突起的形式，所述突起相对于所述邻近平面表面具有凸的弯曲表面，所述凸的弯曲表面的曲率半径(“R”)在0.1mm到600mm之间，所述第一区的所述凸的弯曲表面的曲率半径(“R”)与所述第二区的所述凸的弯曲表面的曲率半径(“R”)相同，以及所述第一区基于由下述项组成的组中的至少一个而不同于所述第二区：i)所述第一区具有与所述第二区的对应的定向不同的定向，使得所述第一区相对于所述邻近平面表面的倾斜角(β1’)不同于所述第二区相对于所述邻近平面表面的倾斜角(β2’)，以及ii)所述第一区具有在所述芯片的区间表面与所述基底之间的距离，该距离不同于所述第二区的在所述芯片的所述区间表面与所述基底之间的对应的距离。