[发明专利]光伏电池中I-III-VI2层和背接触层之间的改良界面

摘要

本发明涉及一种制造具有光伏特性的I‑III‑VI2层的方法，包括：金属在衬底上的沉积以形成接触层，光伏层的前体在接触层上的沉积，以及添加了元素VI的前体的热处理以形成I‑III‑VI2层。元素VI通常在热处理过程中扩散到接触层(MO)中并且与金属结合在接触层上形成表面层(SUP)。在本发明的方法中，金属沉积包括一个步骤，在该步骤中，一种添加元素被添加到金属中以在接触层上形成一种化合物(MO‑EA)，作为元素VI的扩散阻挡层，从而能够精确地控制表面层的特性，特别是其厚度。

主权项

1.用于制作具有光伏特性的I‑III‑VI2层的方法，包括：‑将金属沉积在衬底上以形成接触层，‑将I‑III‑VI2层的前体沉积在接触层上，以及‑前体的热处理中加入元素VI以形成I‑III‑VI2层，金属沉积包括一个步骤，在该步骤中，添加元素被添加到金属中以在接触层上形成化合物，所述化合物作为元素VI扩散的阻挡物，所述方法还包括在接触层上沉积钼牺牲层，所述钼牺牲层的沉积发生在沉积前体之前，在热处理过程中所述牺牲层和元素VI进行反应，从而在接触层上形成表面层。