[发明专利]固体电子装置有效
申请号: | 201280058844.0 | 申请日: | 2012-10-25 |
公开(公告)号: | CN103999207B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 下田达也;德光永辅;尾上允敏;宫迫毅明 | 申请(专利权)人: | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L21/316;H01L27/04 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司11285 | 代理人: | 杨勇,钟守期 |
地址: | 日本埼玉*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的一个固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层(可以包含不可避免的杂质),其中,所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成,所述前躯体层将前躯体溶液作为原料,所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质,并且用于形成所述氧化物层的加热温度为520℃以上且650℃以下。 | ||
搜索关键词: | 固体 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种固体电子装置,其中,所述固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层,其中,所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成,所述前躯体层将前躯体溶液作为原料,所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质,且所述氧化物层可以包含不可避免的杂质,并且所述氧化物层具有烧绿石型结晶结构的结晶相。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立研究开发法人科学技术振兴机构,未经国立研究开发法人科学技术振兴机构许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280058844.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造