[发明专利]固体电子装置有效

专利信息
申请号: 201280058844.0 申请日: 2012-10-25
公开(公告)号: CN103999207B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 下田达也;德光永辅;尾上允敏;宫迫毅明 申请(专利权)人: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
主分类号: H01L21/822 分类号: H01L21/822;H01L21/316;H01L27/04
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司11285 代理人: 杨勇,钟守期
地址: 日本埼玉*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的一个固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层(可以包含不可避免的杂质),其中,所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成,所述前躯体层将前躯体溶液作为原料,所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质,并且用于形成所述氧化物层的加热温度为520℃以上且650℃以下。
搜索关键词: 固体 电子 装置
【主权项】:
一种固体电子装置,其中,所述固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层,其中,所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成,所述前躯体层将前躯体溶液作为原料,所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质,且所述氧化物层可以包含不可避免的杂质,并且所述氧化物层具有烧绿石型结晶结构的结晶相。
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