[发明专利]具有优化的边缘终止的半导体元器件有效
| 申请号： | 201280058927.X | 申请日： | 2012-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN104321879B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | R·巴塞尔梅斯;H-J·舒尔策;U·克尔纳-韦德豪森;J·卢茨;T·巴斯勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技有限两合公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 冯剑明 |
| 地址： | 德国瓦尔*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体元器件，包括：具有第一侧面(22)、第二侧面(23)和边缘(24)的半导体主体(21)，具有第一导电类型的基本掺杂的内部区(27)，安置在第一侧面(22)和内部区(27)之间的第一半导体区(28、61)，且其为具有比内部区(27)的掺杂浓度更高的掺杂浓度的第一导电类型，安置在第二侧面(23)和内部区(27)之间的第二半导体区(29)，并且其为与具有比内部区(27)的掺杂浓度更高的掺杂浓度的第一导电类型互补的第二导电类型，至少一个第一边缘斜面，其至少沿着第二半导体区(29)和内部区(27)的边缘(24)以第一角度(30)向从第二半导体区(29)至内部区(27)的过渡的扩展面延伸，其中，第一半导体区(28、61)和内部区(27)之间设置有至少一个埋入式半导体区(41、51、81)，其具有比内部区(27)的掺杂浓度更高的掺杂浓度的第二导电类型，并且基本上平行于第一半导体区(28、61)延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 优化 边缘 终止 半导体 元器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元器件，包括‑一半导体主体(21)，该半导体主体具有第一侧面(22)、第二侧面(23)和边缘(24)，‑一内部区(27)，该内部区具有第一导电类型的一基本掺杂，‑第一阴极侧半导体区(61)，该第一阴极侧半导体区被安置在第一侧面(22)和内部区(27)之间，并且是具有比内部区(27)的掺杂浓度更高的掺杂浓度的该第一导电类型，‑一第二阳极侧半导体区(29)，该第二阳极侧半导体区被安置在第二侧面(23)和内部区(27)之间，并且是一第二导电类型，该第二导电类型与第一导电类型互补，且掺杂浓度高于内部区(27)，‑至少一个第一边缘斜面，该第一边缘斜面至少沿着第二阳极侧半导体区(29)和内部区(27)的边缘(24)以第一角度(30)向从第二阳极侧半导体区(29)至内部区(27)的过渡的扩展面延伸，第一阴极侧半导体区(61)和内部区(27)之间设置有至少一个埋入式半导体区(41、81)，该埋入式半导体区为具有比内部区(27)的掺杂浓度更高的掺杂浓度的第二导电类型，并且基本上平行于第一阴极侧半导体区(61)延伸，其中，埋入式半导体区(41、81)仅被设置在半导体主体(21)的边缘区域(26)中，第二边缘斜面，该第二边缘斜面相对于从第一阴极侧半导体区(61)向内部区(27)的过渡具有第二角度(71)，该第二边缘斜面至少沿着第一阴极侧半导体区(61)和埋入式半导体区(41)的边缘(24)延伸，其中，第二角度(71)的绝对值小于第一角度(30)的绝对值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技有限两合公司，未经英飞凌科技有限两合公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280058927.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双金属汇流条组件
- 下一篇：海上风力发电机组的运输结构、运输方法及安装方法
- 同类专利
- 专利分类
