[发明专利]使用有机平面化掩膜切割多条栅极线

摘要

在其上包括多条栅极线的半导体衬底顶上形成有机平面化层(OPL)。每条栅极线至少包括高k栅极电介质以及金属栅极。然后在OPL顶上设置其中形成有至少一个图形的构图的光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂中的所述至少一个图形垂直于每一条所述栅极线。然后通过蚀刻将所述图形转移到OPL以及下伏的栅极线中的每一条的一部分中以提供多个栅极叠层，每一个栅极叠层至少包括高k栅极电介质部分和金属栅极部分。然后利用一系列步骤去除构图的光致抗蚀剂和剩余的OPL层，所述一系列步骤包括与第一酸的第一接触、与水性含铈溶液的第二接触以及与第二酸的第三接触。

主权项

一种形成半导体结构(10)的方法，包括：在半导体衬底(12)的表面上形成多条栅极线(14L、14R)，其中所述多条栅极线中的每条栅极线(14L、14R)至少包括高k栅极电介质(16L、16R)和上覆的金属栅极(18L、18R)；在所述半导体衬底(12)和所述多条栅极线(14L、14R)顶上形成有机平面化层(OPL)(22)；在所述OPL(22)顶上形成包括至少一个图形(26)的构图的光致抗蚀剂(24’)，其中所述至少一个图形(26)位于所述多条栅极线中的每条栅极线(14L、14R)的一部分顶上；通过蚀刻将所述至少一个图形(26)转移到下伏的OPL(22)和栅极线(14L、14R)中；以及通过一系列接触步骤去除所述构图的光致抗蚀剂(24’)和剩余的OPL层(22’)，所述一系列接触步骤包括：(a)在第一温度下持续第一时间段与第一酸的第一接触，(b)在第二温度下持续第二时间段与水性含铈溶液的第二接触，以及(c)在第三温度下持续第三时间段与第二酸的第三接触。