[发明专利]用于超级结型MOSFET器件的边缘端接有效
| 申请号： | 201280059411.7 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN104011871B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 德瓦·N·帕塔纳亚克 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施方式中，一种超级结型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件可包括衬底和位于所述衬底之上的电荷补偿区域。所述电荷补偿区域在N型掺杂剂区域内可包括多列P型掺杂剂。此外，所述超级结型MOSFET可包括位于所述电荷补偿区域之上的端接区域，并且所述端接区域可包括N型掺杂剂。而且，所述超级结型MOSFET可包括边缘端接结构。所述端接区域包括所述边缘端接结构的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 超级 mosfet 器件 边缘 端接 | ||
【主权项】：
一种超级结型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件，包括：衬底；电荷补偿区域，位于所述衬底之上并且在N型掺杂剂区域内包括多列P型掺杂剂；N型掺杂剂层，位于所述电荷补偿区域之上；源极，所述源极的一部分位于所述N型掺杂剂层之上；漏极，位于所述N型掺杂剂层之上；以及边缘端接结构，位于所述源极和所述漏极之间，其中，所述边缘端接结构的一部分位于所述N型掺杂剂层之上，所述多列P型掺杂剂在所述源极、所述边缘端接结构和所述漏极下方具有相同的高度。
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