[发明专利]位于包含氧化物层的结构体中的键合界面的稳定化方法及所得结构体有效
| 申请号： | 201280059753.9 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103988285A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 迪迪埃·朗德吕;C·大卫;约努茨·拉杜;L·卡佩罗;Y·斯奎因 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;解延雷 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种位于下述结构体中的键合界面的稳定化方法，所述结构体应用于电子学、光学和/或光电子学领域，并包含在活性层和受体衬底之间的隐埋氧化物层，所述键合界面通过分子粘附获得。根据本发明，所述方法要包括用由激光提供的光能流照射所述结构体，以使导向所述结构体的光能流由能量转化层吸收并在该层中转化为热，并且该热朝向键合界面扩散到所述结构体中，从而使所述键合界面稳定化。 | ||
| 搜索关键词： | 位于 包含 氧化物 结构 中的 界面 稳定 方法 所得 | ||
【主权项】：
一种位于结构体(4)中的键合界面(3)的稳定化方法，所述结构体(4)应用于电子学、光学和/或光电子学领域，且所述结构体(4)包含在活性层(14)和受体衬底(2)之间的隐埋氧化物层(5,16,23)，所述键合界面(3)通过分子粘附获得，其特征在于，所述方法包括用激光(7)所提供的光能流照射所述结构体(4)，以使导向所述结构体的所述光能流由能量转化层(6)吸收并在该层中转化成热，并且，所述热朝向所述键合界面(3)扩散至所述结构体(4)中，由此使所述键合界面(3)稳定化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
