[发明专利]催化剂CVD法及其装置

摘要

本发明提供一种催化剂CVD法及其装置，所述催化剂CVD法在反应室内并列地配置通过通电被加热到1500℃至1800℃那样的极高的温度的钨的线状催化剂体和被加热到250℃至260℃的铝制的圆筒状基体，向通过真空泵而成为真空状态的反应室内依次导入SiH₄和B₂H₆的混合气体、SiH₄和H₂的混合气体以及SiH₄和NH₃的混合气体，使之与被加热的催化剂体引起催化剂反应，使因该反应而分解生成的反应生成物到达基体，将非晶硅类膜作为电荷注入阻止层、光导电层以及表面保护层来依次堆积，其特征在于，在形成表面保护层前，为了减少来自线状催化剂体的辐射热的影响，使基体的温度充分低下，而使线状催化剂体远离基体的表面。

主权项

一种催化剂CVD法，所述催化剂CVD法在反应室内并列地配置通过通电被加热到1500℃至1800℃那样的极高的温度的钨的线状催化剂体和被加热到250℃至260℃的铝制的圆筒状基体，向通过真空泵而成为真空状态的反应室内依次导入SiH₄和B₂H₆的混合气体、SiH₄和H₂的混合气体以及SiH₄和NH₃的混合气体，使之与被加热的催化剂体引起催化剂反应，使因该反应而分解生成的反应生成物到达基体，将非晶硅类膜作为电荷注入阻止层、光导电层以及表面保护层来依次堆积，其特征在于，在形成表面保护层前，为了减少来自线状催化剂体的辐射热的影响，使基体的温度充分低下，而使线状催化剂体远离基体的表面。