[发明专利]光电子半导体芯片

摘要

说明一种光电子半导体芯片，具有：‑多个有源区（1），所述有源区彼此间隔地布置，以及‑反射层（2），所述反射层被布置在所述多个有源区（1）的下侧（1a）上，其中‑所述有源区（1）中的至少一个具有主延伸方向（R），‑所述有源区（1）中的一个具有核心区（10），所述核心区利用第一半导体材料形成，‑该有源区（1）具有有源层（11），所述有源层至少在横向于该有源区（1）的主延伸方向（R）的方向（x、y）上遮盖所述核心区（10），‑该有源区（1）具有覆盖层（12），所述覆盖层利用第二半导体材料形成并且至少在横向于该有源区（11）的主延伸方向（R）的方向（x、y）上遮盖所述有源层（11），以及‑所述反射层（2）被设立用于反射在运行中在所述有源层（11）中产生的电磁辐射。

主权项

一种光电子半导体芯片，具有：‑ 多个有源区（1），所述有源区彼此间隔地布置，以及‑ 反射层（2），所述反射层被布置在所述多个有源区（1）的下侧（1a）上，其中‑ 所述有源区（1）中的至少一个具有主延伸方向（R），‑ 所述有源区（1）中的一个具有核心区（10），所述核心区利用第一半导体材料形成，‑ 该有源区（1）具有有源层（11），所述有源层至少在横向于该有源区（1）的主延伸方向（R）的方向（x、y）上遮盖所述核心区（10），‑ 该有源区（1）具有覆盖层（12），所述覆盖层利用第二半导体材料形成并且至少在横向于该有源区（11）的主延伸方向（R）的方向（x、y）上遮盖所述有源层（11），‑ 所述反射层（2）被设立用于反射在运行中在所述有源层（11）中产生的电磁辐射，‑ 所述有源区（1）的至少大部分具有电流扩展层（13），所述电流扩展层至少在横向于主延伸方向（R）的方向（x、y）上遮盖所述覆盖层（12），其中所述电流扩展层（13）对于在运行中在所述有源层（11）中产生的电磁辐射是可穿透的，以及‑ 绝缘材料（4）被布置在所述多个有源区（1）之间，其中所述绝缘材料（4）对于在运行中在所述有源层（11）中产生的电磁辐射是可穿透的并且所述绝缘材料（4）至少在横向于主延伸方向（R）的方向（x、y）上包围所述有源区（1）。