[发明专利]形成半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201280060379.4 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103975423A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 中村源志;长谷川敏夫 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;彭鲲鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于形成半导体器件的方法，包括：在处理室中在衬底上提供含金属栅电极膜；向处理室中流入由氢气(H2)和任选的稀有气体组成的处理气体；通过微波等离子体源由处理气体形成等离子体激发物质；以及将含金属栅电极膜暴露于等离子体激发物质以形成改性含金属栅电极膜，改性含金属栅电极膜具有低于含金属栅电极膜的功函数。其他实施方案描述了形成具有包含用于NMOS和PMOS晶体管的改性含金属栅电极的栅极堆叠体的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件的方法，包括：在处理室中在衬底上提供含金属栅电极膜；向所述处理室中流入由氢气(H2)和任选的稀有气体组成的处理气体；通过微波等离子体源由所述处理气体形成等离子体激发物质；以及将所述含金属栅电极膜暴露于所述等离子体激发物质以形成改性含金属栅电极膜，所述改性含金属栅电极膜具有低于所述含金属栅电极膜的功函数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
