[发明专利]具有纹理结构的硅基板的制法无效
| 申请号： | 201280060391.5 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103988313A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 梅川秀喜;松井真二;大本慎也 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有纹理结构的硅基板的制造方法，与现有的方法相比，所述制造方法可以减少制造工序、且在硅基板表面容易地形成规则的纹理结构。本发明的制造方法的特征在于，包括以下工序：(A)在硅基板上用含有树脂的组合物形成图案的工序；(B)对图案部分以外的硅基板表面照射蚀刻气体的工序；及(C)利用碱蚀刻液对照射了蚀刻气体的硅基板进行处理，在图案部分之下形成凹结构的工序。进而，本发明提供一种所述制造方法中使用的含有树脂的组合物、尤其是含有光固性树脂的组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纹理 结构 硅基板 制法 | ||
【主权项】：
一种具有纹理结构的硅基板的制法，其特征在于，其是制造具有纹理结构的硅基板的方法，所述制法包括如下工序：(A)在硅基板上用含有树脂的组合物形成图案的工序；(B)对图案部分以外的硅基板表面照射蚀刻气体的工序；和(C)利用碱蚀刻液对照射了蚀刻气体的硅基板进行处理，在图案部分之下形成凹结构的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
