[发明专利]使用牺牲硅板形成宽沟槽的方法有效
| 申请号： | 201280060809.2 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN104144838A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | Ｇ·奥布赖恩 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司;Ｇ·奥布赖恩 |
| 主分类号： | B61C1/00 | 分类号： | B61C1/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈珊;刘兴鹏 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成封装的宽沟槽的方法包括提供氧化绝缘体上硅(SOI)晶片，通过在SOI晶片的硅层内刻蚀第一沟槽限定第一牺牲硅板的第一侧，通过在硅层内刻蚀第二沟槽限定第一牺牲硅板的第二侧，在第一沟槽内形成第一牺牲氧化部分，在第二沟槽内形成第二牺牲氧化部分，在第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分上方形成多晶硅层以及刻蚀第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 牺牲 形成 沟槽 方法 | ||
【主权项】：
一种形成封装宽沟槽的方法，所述方法包括：提供氧化绝缘体上硅(SOI)晶片；通过在SOI晶片的硅层内刻蚀第一沟槽限定第一牺牲硅板的第一侧；通过在硅层内刻蚀第二沟槽限定第一牺牲硅板的第二侧；在第一沟槽内形成第一牺牲氧化部分；在第二沟槽内形成第二牺牲氧化部分；在第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分上方形成多晶硅层；以及刻蚀第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司;Ｇ·奥布赖恩，未经罗伯特·博世有限公司;Ｇ·奥布赖恩许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280060809.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
