[发明专利]硫化物固体电解质材料、电池和硫化物固体电解质材料的制造方法有效
申请号: | 201280061858.8 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN103999279A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 菅野了次;平山雅章;加藤祐树;川本浩二;大友崇督 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人东京工业大学;丰田自动车株式会社 |
主分类号: | H01M10/0562 | 分类号: | H01M10/0562;C01B25/16;H01B1/06;H01B13/00;H01M4/06;H01M4/13;H01M4/62;H01M6/18;H01M10/052 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;赵曦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的课题在于提供一种离子传导性良好的硫化物固体电解质材料。本发明通过提供如下的硫化物固体电解质材料来解决上述课题,该硫化物固体电解质材料的特征在于,含有M1元素(例如Li元素)、M2元素(例如Ge元素和P元素)、S元素和O元素,在使用了CuKα射线的X射线衍射测定中的2θ=29.58°±0.50°的位置具有峰,使上述2θ=29.58°±0.50°的峰的衍射强度为IA、使2θ=27.33°±0.50°的峰的衍射强度为IB时,IB/IA的值小于0.50。 | ||
搜索关键词: | 硫化物 固体 电解质 材料 电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种硫化物固体电解质材料,其特征在于,含有M1元素、M2元素、S元素和O元素,所述M1至少含有Li,所述M2是选自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb中的至少一种,在使用了CuKα射线的X射线衍射测定中的2θ=29.58°±0.50°的位置具有峰,使所述2θ=29.58°±0.50°的峰的衍射强度为IA、使2θ=27.33°±0.50°的峰的衍射强度为IB时,IB/IA的值小于0.50。
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