[发明专利]光致载流子寿命测量装置及光致载流子寿命测量方法有效
申请号: | 201280062241.8 | 申请日: | 2012-12-11 |
公开(公告)号: | CN104094389A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 鲛岛俊之 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人东京农工大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N22/00 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人: | 齐永红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 包含:光源(20)、(22),其对半导体衬底(S)照射用于产生光致载流子的、波长不同的光;微波产生部(10),其产生对半导体衬底(S)照射的微波;检测部(30),其检测穿透半导体衬底的微波的强度;以及运算部(50),根据在照射所述至少两种光后检测出的微波强度,计算光的波长各自对应的有效载流子寿命,根据计算出的波长各自对应的有效载流子寿命计算半导体衬底(S)的体内载流子寿命和表面复合速度。 | ||
搜索关键词: | 载流子 寿命 测量 装置 测量方法 | ||
【主权项】:
一种测量半导体衬底上产生的光致载流子的有效载流子寿命的光致载流子寿命测量装置,其特征在于,包含:光照射部,其对所述半导体衬底照射用于产生光致载流子的、波长不同的至少两种光;微波产生部,其产生对所述半导体衬底照射的微波;检测部,其检测穿透所述半导体衬底的微波的强度;运算部,其根据所述检测部中检测出的微波强度计算有效载流子寿命,所述运算部根据在照射所述至少两种光后检测出的微波强度,计算所述至少两种光的波长各自对应的有效载流子寿命,根据计算出的所述波长各自对应的有效载流子寿命计算所述半导体衬底的体内载流子寿命和表面复合速度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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