[发明专利]光致载流子寿命测量装置及光致载流子寿命测量方法有效

专利信息
申请号: 201280062241.8 申请日: 2012-12-11
公开(公告)号: CN104094389A 公开(公告)日: 2014-10-08
发明(设计)人: 鲛岛俊之 申请(专利权)人: 国立大学法人东京农工大学
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;G01N22/00
代理公司: 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 代理人: 齐永红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 包含:光源(20)、(22),其对半导体衬底(S)照射用于产生光致载流子的、波长不同的光;微波产生部(10),其产生对半导体衬底(S)照射的微波;检测部(30),其检测穿透半导体衬底的微波的强度;以及运算部(50),根据在照射所述至少两种光后检测出的微波强度,计算光的波长各自对应的有效载流子寿命,根据计算出的波长各自对应的有效载流子寿命计算半导体衬底(S)的体内载流子寿命和表面复合速度。
搜索关键词: 载流子 寿命 测量 装置 测量方法
【主权项】:
一种测量半导体衬底上产生的光致载流子的有效载流子寿命的光致载流子寿命测量装置,其特征在于,包含:光照射部,其对所述半导体衬底照射用于产生光致载流子的、波长不同的至少两种光;微波产生部,其产生对所述半导体衬底照射的微波;检测部,其检测穿透所述半导体衬底的微波的强度;运算部,其根据所述检测部中检测出的微波强度计算有效载流子寿命,所述运算部根据在照射所述至少两种光后检测出的微波强度,计算所述至少两种光的波长各自对应的有效载流子寿命,根据计算出的所述波长各自对应的有效载流子寿命计算所述半导体衬底的体内载流子寿命和表面复合速度。
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