[发明专利]在GaN材料中制造浮置保护环的方法及系统有效
| 申请号： | 201280063052.2 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104011865B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 唐纳德·R·迪斯尼;安德鲁·P·爱德华兹;聂辉;理查德·J·布朗;伊舍克·C·克孜勒亚尔勒;大卫·P·布尔;林达·罗马诺;托马斯·R·普朗蒂 | 申请（专利权）人： | 阿沃吉有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 顾晋伟,吴鹏章 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于制造边缘终端结构的方法，包括提供具有第一表面和第二表面以及第一导电类型的衬底；形成耦接到衬底的第一表面的第一导电类型的第一GaN外延层；以及形成与第一导电类型相反的第二导电类型的第二GaN外延层。第二GaN外延层耦接到第一GaN外延层。该方法还包括向第二GaN外延层的第一区域注入离子以使第二GaN外延层的第二区域电隔离于第二GaN外延层的第三区域。该方法还包括形成耦接到第二GaN外延层的第二区域的有源器件和形成耦接到第二GaN外延层的第三区域的边缘终端结构。 | ||
| 搜索关键词： | gan 材料 制造 保护环 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种制造边缘终端结构的方法，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面；形成耦接到所述衬底的所述第一表面的所述第一导电类型的第一GaN外延层；形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二GaN外延层，所述第二GaN外延层耦接到所述第一GaN外延层；向所述第二GaN外延层的第一区域注入离子以使所述第二GaN外延层的第二区域电隔离于所述第二GaN外延层的第三区域，其中所注入的离子延伸穿过所述第二GaN外延层进入所述第一GaN外延层；以及形成耦接到所述第二GaN外延层的所述第二区域的有源器件；其中所述第二GaN外延层的所述第三区域包括边缘终端结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿沃吉有限公司，未经阿沃吉有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280063052.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
