[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201280063629.X | 申请日: | 2012-12-11 |
公开(公告)号: | CN103999196A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 相原友明;光吉一郎;前川直嗣;土谷庆一 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/306 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅会;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 基板处理装置(1)具有处理槽(3)、盖部(5)、升降部。用于贮存处理液的处理槽具有上部开口(30)。盖部具有卷绕有片状连续构件(50)的两端部的一对辊(51、52),连续构件的处于一对辊之间的部位即中间部(501),在上部开口的附近与上部开口的开口面平行地配置,通过使辊旋转,使中间部沿着开口面移动。在连续构件上形成有作为开口的通过口(502)。升降部使基板(9)在处理槽内的处理位置和处理槽外的退避位置之间进行升降。在要使基板在处理位置和退避位置之间进行升降时,通过口配置在上部开口的正上方。另外,要在处理槽内对基板进行处理时,通过口配置在从上部开口的正上方偏离的位置,从而通过连续构件堵塞上部开口。能够通过省空间的盖部来使基板处理装置小型化。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,具有:处理槽,通过处理液对基板进行处理,并且具有上部开口;盖部,具有卷绕有连续的呈片状或者波纹状的连续构件的两端部的一对辊,在所述连续构件上形成有作为开口的通过口,所述连续构件的位于所述一对辊之间的部位即中间部在所述上部开口的附近与所述上部开口的开口面平行地配置,通过使所述一对辊旋转,使所述中间部沿着所述开口面移动;支撑部,至少在所述处理槽内支撑呈直立状态的基板;升降部,使所述基板在所述处理槽内的处理位置和所述处理槽外的退避位置之间进行升降;控制部,在要使所述基板在所述处理位置和所述退避位置之间进行升降时,使所述通过口配置在所述上部开口的正上方,使所述基板通过所述通过口以及所述上部开口,在所述处理槽内要对所述基板进行处理时,使所述通过口配置在从所述上部开口的正上方偏离的位置上,从而通过所述连续构件堵塞所述上部开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造